存儲芯片進入筑底階段，半導體周期拐點隱現-熱文

美光科技審查事件結果出爐，不僅再次推升了市場對于國產存儲芯片替代進程的關注，也使得本輪半導體周期拐點討論越來越熱。

受消費低迷影響，存儲芯片仍處于筑底階段。根據TrendForce預計，由于DRAM 和NAND Flash下游需求不及預期，部分產品2023二季度價格跌幅有擴大趨勢。

顯然，消費電子下游需求景氣度拐點仍沒有到來，這或許解釋了A股芯片板塊“一日游行情”的原因。

(資料圖)

5月22日，存儲芯片板塊高開低走，深科技（000021.SZ）、佰維存儲（688525.SH）等個股悉數轉跌，整個芯片板塊回撤明顯。而上一交易日（5月19日）存儲芯片板塊掀起漲停潮，芯片股為何再度“一日游”。

存儲芯片周期進入“筑底”階段

2022年全球消費電子需求明顯下降，原廠、渠道和終端庫存高企，導致存儲芯片價格一跌再跌。

在今年一季度全球PC出貨量下跌33%的背景下，存儲芯片價格一跌再跌，全行業庫存接近歷史高點，各廠商存貨周轉天數進一步大幅增加，整體仍處于主動去庫存狀態。

4月份，DRAM(4GB) 現貨平均價環比下行3.46%，NAND(64GB）現貨平均價環比上行0.39%，出現止跌信號。上周末，市場傳聞稱長江存儲傳出將調漲NAND Flash產品價格后，漲幅約為 3%~5%，有消息稱韓國三星電子、SK海力士也將跟進漲價，且不再接受存儲芯片更低詢價。

多個被視為存儲芯片長期跌價終止的信號出現后，市場分析稱，存儲芯片進入筑底階段，靜待庫存水位及庫存結構改變。

國盛證券研報指出，根據TrendForce表示，DRAM價格的跌幅主要原因系DDR4 和LPDDR5庫存過高，NAND Flash價格下跌原因在于市場目前供過于求的格局仍未明顯改善。我們認為，2023上半年存儲價格持續下行，目前已經接近底部，后續且待價格企穩回升。

另外，在本次審查中，美光主要銷售的是DRAM和NAND Flash產品未通過安全檢查，這將大幅拉動服務器（消費級、企業級）、汽車和通訊領域的國產存儲芯片需求，對于國產存儲芯片廠商是很好的機遇。

A股上市公司中，與美光直接競爭國產存儲芯片廠商包括北京君正（300223.SZ）、兆易創新（603986.SH）等，深科技主要從事存儲芯片的封測業務環節。

北京君正在5月初的投資者調研中表示，目前看消費行業庫存去化已取得非常顯著的成果，能經常看到急單的出現，這表明客戶需求已經在出現。工業領域的供求關系反轉比消費領域會晚一些，其庫存去化還需要一些時間。總體來看，第二季度從量的維度上可能環比一季度不會有太大的變化。

談及國產化加速下存儲行業的投資機遇，某半導體行業人士對記者說：“國內廠商短時間內無法‘吃掉’美光的所有市場份額，產能爬坡和產品導入都需要時間。”

半導體周期拐點隱現？

全球半導體存儲市場中，DRAM和NAND Flash是主要的兩種存儲芯片，兩者占據主導地位。據WSTS預測，2023年全球存儲芯片市場規 模將達到1675億美元，其中中國存儲器市場空間巨大，預計2023年國內存儲芯片市場規模將達到6492億元（約942億美元），約占全球市場的55.8%。

半導體產業中，由于存儲芯片是市場需求中最基礎的重要品類，呈現出較強的周期性，行業景氣度受供需關系影響較大，也被視為周期的風向標。

伴隨存儲芯片價格筑底，關于半導體周期拐點將臨近的討論越來越熱。今年3月，全球和中國半導體銷售額自去年6月以來首次實現環比增長，意味著行業衰退期已經過半。

“一旦渠道環節完成庫存消化、終端需求崛起，周期便從底部崛起。目前來看，底部反轉的多項條件已經具備，比如美元加息預期減弱。半導體是全球性產業，對宏觀經濟波動影響敏感，周期的拐點也與美元利率掛鉤。”上述半導體人士補充說：“三季度是半導體需求旺季，也成為今年半導體板塊業績的‘勝負手’。不同產品的渠道庫存去化進展不同，總體上，我們預計三季度的下游需求可能會有明顯改善。”

2022年是全球半導體行情的“至暗時刻”，中華半導體芯片指數全年重挫逾30%，同期美股的費成半導體指數亦是如此。一季報數據來看，A股半導體整體業績表現不佳，各環節平均業績較上年同期均有一定下滑，僅半導體設備板塊的業績實現了一定增長。

估值角度來看，4月份，申萬半導體指數下跌 6.03%，跑輸滬深300指數5.49個百分點。半導體子行業方面，除半導體設備上漲18.74%外，其余均下跌，其中模擬芯片設計、集成電路封測、分立器件跌幅較大，分別下跌16.34%、14.01%、11.4%。

截至5月22日，中華半導體芯片指數市盈率TTM為61倍，估值處于64.05%。細分來看，其中集成電路封測估值最低，半導體設備估值最高，部分與AI概念相關的個股也處于估值高位。

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